高科技注入酒吧灯光设计 听哲东酒吧设计为你解析秘密

来源:www.www.tiwasgist.com 作者:爱游戏中国 发表时间:2011-12-30 10:44:17

　　科技影响着人们的生活，无时无刻，无处不在。在酒吧设计中，设计师总是在尝试将科技融入艺术，提升空间的价值。今天ＺＤＤ为大家带来的是高科技注入酒吧灯光设计，听哲东酒吧设计为你解析秘密！

　　ＬＥＤ外延片技术与设备是外延片制造技术的关键所在，金属有机物化学气相淀积（Ｍｅｔａｌ－ＯｒｇａｎｉｃＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，简称　ＭＯＣＶＤ）技术生长ＩＩＩ－Ｖ族，ＩＩ－ＶＩ族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面和大家介绍一下灯光知识中ＬＥＤ外延片生长技术的有关资料。

　　１。氢化物汽相外延片（ＨＶＰＥ）技术

　　采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的ＧａＮ薄膜有可能成为体单晶ＧａＮ芯片的替代品。ＨＶＰＥ的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响ＧａＮ材料纯度的进一步提高。

　　２。选择性外延片生长或侧向外延片生长技术

　　在酒吧灯光设计中，采用这种技术可以进一步减少位元错密度，改善ＧａＮ外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上（蓝宝石或碳化硅）沉积一层ＧａＮ，再在其上沉积一层多晶态的ＳｉＯ掩膜层，然后利用光刻和刻蚀技术，形成ＧａＮ视窗和掩膜层条。在随后的生长过程中，外延片ＧａＮ首先在ＧａＮ视窗上生长，然后再横向生长于ＳｉＯ条上。

　　３。开发多量子阱型芯片技术

　　多量子阱型是在芯片发光层的生长过程中，掺杂不同的杂质以制造结构不同的量子阱，通过不同量子阱发出的多种光子复合直接发出白光。该方法提高发光效率，可降低成本，降低包装及电路的控制难度；但技术难度相对较大。

　　４。改进两步法生长工艺

　　在小酒吧设计中，目前商业化生产采用的是两步生长工艺，但一次可装入衬底数有限，６片机比较成熟，２０片左右的机台还在成熟中，片数较多后导致外延片均匀性不够。发展趋势是两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底外延片生长，更加适合于规模化生产的技术，以降低成本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。

　　５。悬空外延片技术

　　采用这种方法可以大大减少由于衬底和外延片层之间晶格失配和热失配引发的外延片层中大量的晶格缺陷，从而进一步提高ＧａＮ外延片层的晶体品质。首先在合适的衬底上（６Ｈ－ＳｉＣ或Ｓｉ）采用两步工艺生长ＧａＮ外延片层。然后对外延片膜进行选区刻蚀，一直深入到衬底。这样就形成了ＧａＮ／缓冲层／衬底的柱状结构和沟槽交替的形状。然后再进行ＧａＮ外延片层的生长，此时生长的ＧａＮ外延片层悬空于沟槽上方，是在原ＧａＮ外延片层侧壁的横向外延片生长。采用这种方法，不需要掩膜，因此避免了ＧａＮ和腌膜材料之间的接触。

　　６。研发波长短的ＵＶＬＥＤ外延片材料

　　它为发展ＵＶ三基色萤光粉白光ＬＥＤ奠定扎实基础。可供ＵＶ光激发的高效萤光粉很多，其发光效率比目前使用的ＹＡＧ：Ｃｅ体系高许多，这样容易使白光ＬＥＤ上到新台阶。

　　７。开发「光子再回圈」技术

　　日本Ｓｕｍｉｔｏｍｏ在１９９９年１月研制出ＺｎＳｅ材料的白光ＬＥＤ。其技术是先在ＺｎＳｅ单晶基底上生长一层ＣｄＺｎＳｅ薄膜，通电后该薄膜发出的蓝光与基板ＺｎＳｅ作用发出互补的黄光，从而形成白光光源。美国Ｂｏｓｔｏｎ大学光子研究中心用同样的方法在蓝光ＧａＮ－ＬＥＤ上叠放一层ＡｌＩｎＧａＰ半导体复合物，也生成了白光。

　　专业、时尚、品牌、创新，成就你的事业是哲东人不断的追求。我们从来无惧挑战，只怕对手出招太慢。酒吧设计，哲东是你最佳的选择！

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